TM4000臺(tái)式電鏡

簡(jiǎn)要描述：TM4000臺(tái)式電鏡*的低真空系統(tǒng)使得樣品不需任何處理即可快速進(jìn)行觀察。TM4000優(yōu)化提供5kV、10kV、15kV三種不同電壓下的觀察模式，每種模式下電流4檔可調(diào)，并配備4分割背散射探測(cè)器，可采集四個(gè)不同方向的圖像信息，對(duì)樣品進(jìn)行多種模式成像。具有全新的SEM-MAP導(dǎo)航功能，同時(shí)，電鏡圖片可以報(bào)告形式導(dǎo)出。配備大型樣品倉(cāng)，可容納大樣品直徑80mm，厚度50mm。

更新時(shí)間：2024-09-12
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HITACHI電子顯微鏡

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TM4000臺(tái)式電鏡可在低真空的條件下進(jìn)行多種觀察，對(duì)于容易產(chǎn)生靜電的粉末或含水等樣品，可結(jié)合其目的進(jìn)行觀察。

可在低真空的條件下進(jìn)行二次電子像（表面形狀）觀察。

無(wú)需預(yù)處理，也可以觀察絕緣物和含水、含油樣品的表面

不僅是觀察傳統(tǒng)的導(dǎo)電性樣品，還可以在無(wú)預(yù)處理的條件下觀察絕緣物和含水、含油樣品。可快速進(jìn)行二次電子像與背散射電子像之間的切換。

高感度低真空二次電子檢測(cè)器

采用高感度低真空二次電子檢測(cè)器(UVD)。通過(guò)檢測(cè)由于電子線與殘留氣體分子之間的碰撞而產(chǎn)生的光，可以觀察帶有二次電子信息的圖像。此外，通過(guò)控制該檢測(cè)器，來(lái)檢測(cè)電子照射所產(chǎn)生的光，可以獲得CL信息（UVD-CL：帶有CL信息的圖像）。

高感度低真空二次電子檢測(cè)器的檢測(cè)原理

可支持加速電壓20 kV

TM4000Ⅱ/TM4000Plus II可支持加速電壓20 kV。

憑借EDS分析（選配），可進(jìn)行更高計(jì)數(shù)率解析。

通過(guò)加速電壓20 kV，實(shí)現(xiàn)EDS元素分布圖的高S/N化

EM 樣品臺(tái)（選配）

可輕松觀察 STEM 圖像

TM4000臺(tái)式電鏡與全新開(kāi)發(fā)的 STEM 樣品臺(tái)和高靈敏度低真空二次電子檢測(cè)器(UVD)配合使用，可輕松觀察小倍率 STEM 圖像。

可輕松觀察薄膜樣品和生物樣品。

樣品：老鼠腎臟

加速電壓：15 kV

觀察信號(hào)： STEM 圖像

放大倍率：1000倍

樣品：老鼠肝臟

加速電壓：15 kV

觀察信號(hào)： STEM 圖像

倍率：5000倍

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TM4000臺(tái)式電鏡

可在低真空的條件下進(jìn)行二次電子像（表面形狀）觀察。

無(wú)需預(yù)處理，也可以觀察絕緣物和含水、含油樣品的表面

可支持加速電壓20 kV

通過(guò)加速電壓20 kV，實(shí)現(xiàn)EDS元素分布圖的高S/N化

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可在低真空的條件下進(jìn)行二次電子像（表面形狀）觀察。

無(wú)需預(yù)處理，也可以觀察絕緣物和含水、含油樣品的表面